NF C96-051-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-19 21:25:02  浏览:8924   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET).
【原文标准名称】:金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
【标准号】:NFC96-051-2006
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2006-10-01
【实施或试行日期】:2006-10-20
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;组件;定义;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;试验;试验装置;热应力;晶体管
【英文主题词】:Checkingequipment;Components;Definition;Definitions;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Field-effecttransistors;Limits(mathematics);Measuringequipment;Ratings;Semiconductordevices;Stability;Temperaturestress;Testing;Testingdevices;Thermalstress;Transistors
【摘要】:
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:15P.;A4
【正文语种】:其他